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HM830	文件：325.57 Kbytes Page：8 Pages	500V N-Channel MOSFET 文件：325.57 Kbytes 页数：8 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM830	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOS	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
HM830F	文件：325.57 Kbytes Page：8 Pages	500V N-Channel MOSFET 文件：325.57 Kbytes 页数：8 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM830F	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOS	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi

技术参数

封装（Package）：
TO-220
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
500.00V
ID(Max)ID(A)：
4.50A
IDM：
18.00A
VTH(Typ)：
3.00V
VGS：
30.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
1.10mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
IRF830

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HM830供应商更新时间2025-10-7 14:02:00

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