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NP60N04VDK	文件：271.36 Kbytes Page：8 Pages	40V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description TheNP60N04VDKisN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.85mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) Logicleveldrivetype Designedf	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04VLK	文件：577.74 Kbytes Page：8 Pages	40V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description TheNP60N04VLKisN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.9mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) Logicleveldrivetype Designedfor	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04VLK	文件：336.41 Kbytes Page：8 Pages	N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04VLK	文件：300.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP60N04VUK	文件：299.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.85mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP60N04VUK	文件：110.86 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP60N04VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.85mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) •LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04VUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
PJD60N04	文件：520.74 Kbytes Page：6 Pages	40VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD60N04-AU	文件：548.85 Kbytes Page：6 Pages	40VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD60N04S-AU	文件：650.48 Kbytes Page：6 Pages	40VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

技术参数

封装（Package）：
TO-220
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
40.00V
ID(Max)ID(A)：
60.00A
IDM：
200.00A
VTH(Typ)：
1.60V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
7.30mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
13.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
BSC60N04/SUP60N04/SUD60N04

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HM60N04供应商更新时间2025-7-29 11:00:00

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