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HM5401	文件：34.89 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HM5401 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. Features • High current-emitter breakdown voltage.VCEO=150V(@IC=1mA) • Complements to NPN type HM5551 文件：34.89 Kbytes 页数：4 Pages	HSMC 华昕	HSMC
HM5401	文件：642.98 Kbytes Page：8 Pages	1 Li-ion/Li-polymer battery charge balance IC 文件：642.98 Kbytes 页数：8 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM5401	文件：300 bytes Page：1 Pages	锂电充电平衡IC	HMsemi 华之美半导体	HMsemi
HM5401	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOT-89 Bipolar Transistor	HSMC 华昕	HSMC

技术参数

Type：
PNP
BVCEO(V)：
-150
IC(A)：
-0.6
PD(W)：
1
hFEMin.：
60
hFEMax.：
240
VCE(sat)Max.(V)：
-0.5
RoHS(Note1)：
PF
Status(Note2)：
M

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更多HM5401供应商更新时间2025-12-1 9:03:00

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