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HM53XXA/BPR	文件：2.78126 Mbytes Page：15 Pages	35V, 1.6關A ultra-low quiescent current, 200mA, low dropout linear regulator 文件：2.78126 Mbytes 页数：15 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM53XXA/BSC	文件：2.38669 Mbytes Page：15 Pages	35V, 1.6關A ultra-low quiescent current, 200mA, low dropout linear regulator 文件：2.38669 Mbytes 页数：15 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM53XXA/BTB	文件：2.78126 Mbytes Page：15 Pages	35V, 1.6關A ultra-low quiescent current, 200mA, low dropout linear regulator 文件：2.78126 Mbytes 页数：15 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM53XXA/BTG	文件：2.38669 Mbytes Page：15 Pages	35V, 1.6關A ultra-low quiescent current, 200mA, low dropout linear regulator 文件：2.38669 Mbytes 页数：15 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM53XXA/BTS	文件：2.38669 Mbytes Page：15 Pages	35V, 1.6關A ultra-low quiescent current, 200mA, low dropout linear regulator 文件：2.38669 Mbytes 页数：15 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM53XXA/BTY	文件：2.38669 Mbytes Page：15 Pages	35V, 1.6關A ultra-low quiescent current, 200mA, low dropout linear regulator 文件：2.38669 Mbytes 页数：15 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM53XXA/BVR/MR	文件：2.78126 Mbytes Page：15 Pages	35V, 1.6關A ultra-low quiescent current, 200mA, low dropout linear regulator 文件：2.78126 Mbytes 页数：15 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM53XXAB	文件：2.38669 Mbytes Page：15 Pages	35V, 1.6關A ultra-low quiescent current, 200mA, low dropout linear regulator 文件：2.38669 Mbytes 页数：15 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM53XXASLASHBM5	文件：2.78126 Mbytes Page：15 Pages	35V, 1.6關A ultra-low quiescent current, 200mA, low dropout linear regulator 文件：2.78126 Mbytes 页数：15 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM53XXASLASHBPR	文件：2.78126 Mbytes Page：15 Pages	35V, 1.6關A ultra-low quiescent current, 200mA, low dropout linear regulator 文件：2.78126 Mbytes 页数：15 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

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技术参数

封装（Package）：
TO-220
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
100.00V
ID(Max)ID(A)：
17.00A
IDM：
60.00A
VTH(Typ)：
3.20V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
56.00mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
IRF530

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HM53供应商更新时间2026-3-15 16:00:00

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