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HM40N06D

丝印:HM40N06D;Package:DFN5x6-8L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:708.08 Kbytes 页数:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM40N06D

N沟道中压大电流MOS(100V以下)

HmpowerSemi

虹美功率

MS40N06

Advanced high cell density Trench technology

文件:585.05 Kbytes 页数:8 Pages

BWTECH

MTH40N06

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

文件:484.3 Kbytes 页数:6 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MTH40N06

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 40A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 28mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:293.53 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

技术参数

  • 封装(Package):

    DFN5X6-8L

  • 沟道(Polarity):

    N沟道

  • VDS(Max)BVDSS(V):

    60.00V

  • ID(Max)ID(A):

    40.00A

  • IDM:

    120.00A

  • VTH(Typ):

    3.00V

  • VGS:

    20.00V

  • RDS(ON)@-10VTyp(mΩ):

    9.10mΩ

  • RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • 直接替代型号(compatible):

    AON6248/AON6266

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
DFN5X6-8L
986966
国产
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更多HM40N06D供应商 更新时间2025-10-10 10:01:00