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HM3N120F

Electric welder, Inverter

文件:430.8 Kbytes 页数:9 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM3N120F

高压MOS

HmpowerSemi

虹美功率

IXFA3N120

HiPerFET Power MOSFETs

文件:565.87 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFA3N120

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 4.5Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

文件:332.63 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXFP3N120

HiPerFET Power MOSFETs

文件:565.87 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

技术参数

  • 封装(Package):

    TO-220F

  • 沟道(Polarity):

    N沟道

  • VDS(Max)BVDSS(V):

    1200.00V

  • ID(Max)ID(A):

    3.00A

  • IDM:

    12.00A

  • VTH(Typ):

    4.00V

  • VGS:

    30.00V

  • RDS(ON)@-10VTyp(mΩ):

    5.10mΩ

  • RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • 直接替代型号(compatible):

    IXTA3N120

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多HM3N120F供应商 更新时间2025-12-5 15:53:00