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HM35P04D

丝印:HM35P04D;Package:DFN5x6-8L;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:833.14 Kbytes 页数:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM35P04D

P沟道 中压大电流MOS

HmpowerSemi

虹美功率

HM3-6116L-5

TEMIC
DIP24

HM5241605CTT15

日立
TSSOP

日立

HM62256ALP-70

HIT
DIP28

HIT

技术参数

  • 封装(Package):

    DFN5X6-8L

  • 沟道(Polarity):

    P沟道

  • VDS(Max)BVDSS(V):

    -40.00V

  • ID(Max)ID(A):

    -35.00A

  • IDM:

    -105.00A

  • VTH(Typ):

    -1.90V

  • VGS:

    -20.00V

  • RDS(ON)@-10VTyp(mΩ):

    7.50mΩ

  • RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
DFN5X6-8L
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更多HM35P04D供应商 更新时间2025-10-8 14:01:00