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HM35N03Q	文件：391.24 Kbytes Page：6 Pages	High density cell design for ultra low Rdson 文件：391.24 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM35N03Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
SCP35N03J	文件：274.94 Kbytes Page：3 Pages	35A, 30V, RDS(ON) 7m(ohm) N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：274.94 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
SSP35N03	文件：279.66 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：279.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TSM35N03	文件：354.89 Kbytes Page：6 Pages	25V N-Channel MOSFET 文件：354.89 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

封装（Package）：
DFN3X3-8L
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
30.00V
ID(Max)ID(A)：
35.00A
IDM：
120.00A
VTH(Typ)：
1.60V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
4.80mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
8.20mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
AON6200/2/4/AON6408/AON6416/AON6506/8/AON6526/AON6552/8/AON6566/AON6756/8AON6906/AON6910/2/AON6928/AON6932/4/6/8/AON6973/4/8/IRFH5053/IRFH7936/4/2/IRFH7914/ME7170/ME7356/ME7386/ME7634/6/ME7686/8/AP0203GMT/AP0503GMT/AP0803GMT

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