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HM3207	文件：499.26 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：499.26 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM3207	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
HM3207B	文件：609.23 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：609.23 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM3207BD	文件：519.14 Kbytes Page：7 Pages	丝印：HM3207BD；Package：TO-263-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：519.14 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM3207D	文件：385.49 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：385.49 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM3207T	文件：681.32 Kbytes Page：7 Pages	丝印：HM3207T；Package：TO-247；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：681.32 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM3207D	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
HM3207T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi

封装（Package）：
TO-220
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
75.00V
ID(Max)ID(A)：
210.00A
IDM：
840.00A
VTH(Typ)：
3.00V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
2.90mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
IRF3207/IRF1404/RU190N08/IRFS3306/IRLS3036/IRFS3206/IRFS3006/IRF2907ZS/IRFS3207Z/IRFS3207/IRFS3107/AOB1606L/AOB466L/AOB270AL/AOB480L/AOB280L

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