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HM2N65R

Power Switch Circuit of Adaptor and Charger

文件:1.56892 Mbytes 页数:10 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM2N65R

高压MOS

HmpowerSemi

虹美功率

HRH2N65AD

650V N-Channel Planar MOSFET

Features RDSON≤ 5Ω @ Vgs=10 V, Id= 1A UltraLow gate Charge(typical typical12 .4nC) Crss (typical typical1pF) Fast switching capability 100 %avalanche tested Improved dv/ dt capability Applications Switch Mode Power Supply ( Uninterruptible Power Supply(UPS) Power Factor Correction(PF

文件:1.73333 Mbytes 页数:7 Pages

SY

顺烨电子

HY2N65D

650V / 2A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:155.31 Kbytes 页数:4 Pages

HY

虹扬科技

HY2N65M

650V / 2A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:155.31 Kbytes 页数:4 Pages

HY

虹扬科技

技术参数

  • 封装(Package):

    SOT-223

  • 沟道(Polarity):

    N沟道

  • VDS(Max)BVDSS(V):

    650.00V

  • ID(Max)ID(A):

    2.00A

  • IDM:

    6.00A

  • VTH(Typ):

    3.00V

  • VGS:

    30.00V

  • RDS(ON)@-10VTyp(mΩ):

    7.80mΩ

  • RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • 直接替代型号(compatible):

    FQP2N65/FQN2N65/UTC2N65/STP2N65

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多HM2N65R供应商 更新时间2025-10-10 16:06:00