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NTE2932	文件：24.12 Kbytes Page：3 Pages	MOSFETN-Channel,EnhancementModeHighSpeedSwitch Features: ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerRDS(on):0.071ΩTyp ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max)@VDS=200V	NTE NTE Electronics	NTE
SD2932	文件：553.79 Kbytes Page：12 Pages	RFPOWERTRANSISTORSHF/VHF/UHFN-CHANNELMOSFETs	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SD2932	文件：707.71 Kbytes Page：22 Pages	RFpowertransistorsHF/VHF/UHFN-channelMOSFETs	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SD2932	文件：288.66 Kbytes Page：5 Pages	HFto2000MHzClassABCommonSource-PowerSO-10RF HFto2000MHzClassABCommonSource-PowerSO-10RF VHF/UHFradioanddigitalcellularBTSapplications HFto2000MHzclassABcommonsource-PowerFLAT VHF/UHFradioapplications HFto2000MHzclassABcommoncource-ceramicpackages UHFTVanddigitalcellularBTSapplications 2to	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SD2932	文件：122.99 Kbytes Page：13 Pages	RFPOWERTRANSISTORSHF/VHF/UHFN-CHANNELMOSFETs	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SSM2932	文件：395.87 Kbytes Page：16 Pages	HighEfficiency,Ground-Referenced	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
SSM2932ACBZ-RL	文件：395.87 Kbytes Page：16 Pages	HighEfficiency,Ground-Referenced	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
STAC2932B	文件：470.01 Kbytes Page：14 Pages	Excellentthermalstability Description TheSTAC2932BisagoldmetallizedN-channelMOSfield-effectRFpowertransistor,intendedforusein50VDClargesignalapplicationsupto250MHz. TheSTAC2932Bbenefitsfromthelatestgenerationofefficient,patent-pendingpackagetechnology,otherwiseknownasSTAC™ Feature	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STAC2932BW	文件：406.43 Kbytes Page：14 Pages	HF/VHF/UHFRFpowerN-channelMOSFETs Description TheSTAC2932BisagoldmetallizedN-channelMOSfield-effectRFpowertransistor,intendedforusein50VDClargesignalapplicationsupto250MHz. TheSTAC2932Bbenefitsfromthelatestgenerationofefficient,patent-pendingpackagetechnology,otherwiseknownasSTAC™ Feature	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STAC2932F	文件：333 Kbytes Page：14 Pages	Excellentthermalstability Description TheSTAC2932FisagoldmetallizedN-channelMOSfield-effectRFpowertransistor,intendedforusein50VDClargesignalapplicationsupto250MHz. TheSTAC2932Fbenefitsfromthelatestgenerationofefficient,patent-pendingpackagetechnology,otherwiseknownasSTAC™. Featur	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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