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KGT25N120NDA	文件：123.9 Kbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGT25N120NDH	文件：1.48621 Mbytes Page：7 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MGY25N120	文件：228.6 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguaranteedshortcircuitwithstandtime.Fastswitchingcharacteri	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MGY25N120	文件：153.58 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguaranteedshortcircuitwithstandtime.Fastswitchingcharacteri	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGY25N120D	文件：171.59 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblock	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGY25N120D	文件：256.3 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblock	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MIW25N120FA	文件：1.02325 Mbytes Page：7 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V25A Features •LowVCE(sat)Trench-FSIGBTtechnology •Positivetemperaturecoefficient •Includingfast&softrecoveryanti-parallelFWD •Highshortcircuitcapability(10us) •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MIW25N120FA-BP	文件：1.02325 Mbytes Page：7 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V25A Features •LowVCE(sat)Trench-FSIGBTtechnology •Positivetemperaturecoefficient •Includingfast&softrecoveryanti-parallelFWD •Highshortcircuitcapability(10us) •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
NGTB25N120FLWG	文件：188.23 Kbytes Page：10 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB25N120IHLWG	文件：175.61 Kbytes Page：9 Pages	Incorporatedintothedeviceisaruggedco?뭦ackagedfreewheelingdiodewithalowforwardvoltage.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	HM25P03D	NK/南科功率	2025+	DFN5X6-8L	986966	国产	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	HM25P03K	HMSEMI	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	HM25P03K	VBsemi	23+	TO252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	HM25P03K	H	TO-252	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	HM25P03K	H	23+	TO-252	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市威雅利发展有限公司	HM25P03K	VBsemi	21+	TO252	10065	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	HM25P03K	HMSEMI	24+	NA/	50000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市创新迹电子有限公司	HM25P03K	HMSEMI	23+	TO-252	6800	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市中联芯电子有限公司	HM25P03K	VBsemi	23+	TO252	10065	原装正品,有挂有货,假一赔十	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	HM25P03K	H	25+	TO-252	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价

更多HM25N120T供应商更新时间2025-7-12 14:01:00

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