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NGTB25N120LWG	文件：179.23 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB25N120SWG	文件：90.5 Kbytes Page：5 Pages	IGBT-InverterWelding	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
RLPGB25N120CT	文件：1.65018 Mbytes Page：6 Pages	IGBT Features 1200V,25A VCE(sat)(typ.)=2.2V@VGE=15V,IC=25A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOAusingNPTtechnology GeneralDescription NPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(induc	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
RLTPGB25N120CT	文件：426.05 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELIGBT APPLICATIONS Generalpurposeinverters UPS FEATURES Lowgatecharge TrenchFSTechnology, Saturationvoltage:VCE(sat),typ=1.9VIC=25AandTC=25°C	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
SGH25N120	文件：499.71 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsRUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswhe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH25N120RUF	文件：499.71 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsRUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswhe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGL25N120RUF	文件：510.72 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGL25N120RUFD	文件：568.08 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGW25N120	文件：327.25 Kbytes Page：2 Pages	NPTIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.6V@IC=25A ·ShortCircuitCapability ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·PowerInverters ·SMPS ·BatteryChargers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SGW25N120	文件：380.2 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technology FastIGBTinNPT-technology •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebeha	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	HM25P03D	NK/南科功率	2025+	DFN5X6-8L	986966	国产	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	HM25P03K	HMSEMI	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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