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HM25N06D

N沟道中压大电流MOS(100V以下)

HmpowerSemi

虹美功率

HM25N06Q

Power switching application

文件:681.37 Kbytes 页数:6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

ME25N06

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:898.45 Kbytes 页数:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

MTP25N06

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 25A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =80mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:301.25 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

技术参数

  • 封装(Package):

    DFN5X6-8L

  • 沟道(Polarity):

    N沟道

  • VDS(Max)BVDSS(V):

    60.00V

  • ID(Max)ID(A):

    25.00A

  • IDM:

    85.00A

  • VTH(Typ):

    2.00V

  • VGS:

    20.00V

  • RDS(ON)@-10VTyp(mΩ):

    18.00mΩ

  • RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • 直接替代型号(compatible):

    AON6248/AON7246/AON7262E/AON7264E/AON7444/SiR688DP/SiR662DP/SiR670DP/SiR664DP/Si7164DP/IRLH5036/IRFH5006/IRFH51

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VBsemi
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QFN8(5X6)
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更多HM25N06D供应商 更新时间2026-3-17 19:08:00