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HM250N03D	文件：829.52 Kbytes Page：6 Pages	丝印：HM250N03D；Package：TO-263-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：829.52 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM250N03D	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
WSK250N03	文件：1.26342 Mbytes Page：7 Pages	N-Ch MOSFET 文件：1.26342 Mbytes 页数：7 Pages	WIINSOK 微硕半导体	WIINSOK
G250N03IE	文件：876.29 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G250N03IE uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：876.29 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G250N03IEA	文件：1.14819 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G250N03IEA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.14819 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

封装（Package）：
TO-263
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
30.00V
ID(Max)ID(A)：
250.00A
IDM：
750.00A
VTH(Typ)：
3.00V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
1.80mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
BSC250N03/BSO250N03/RMW250N03/AOT210L/AOT424/AOD4132/AOD492AOD518/IRL3803/IRLR8113/IRL2203N/IRLR7833/IRLR8743

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