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HM2301B	文件：809.17 Kbytes Page：7 Pages	丝印：A12SHB；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM2301B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features ● VDS = -20V,ID = -2.5A RDS(ON) 文件：809.17 Kbytes 页数：7 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
HM2301BWKR	文件：411.44 Kbytes Page：6 Pages	丝印：HM2301BWKR；Package：SOT-363；Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：411.44 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM2301B	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道低压MOS	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
HM2301BKR	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道低压MOS	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
HM2301BSR	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道低压MOS	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi

技术参数

封装（Package）：
SOT23
沟道（Polarity）：
P沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
-20.00V
ID(Max)ID(A)：
-2.50A
IDM：
-10.00A
VTH(Typ)：
-0.70V
VGS：
-12.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
83.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
IRLML6402/AO3423

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	HM2301B	HM	25+	SOT-23	39258	HM全新特价HM2301B即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多HM2301B供应商更新时间2025-12-10 15:10:00

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