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HM20N50F	文件：868.91 Kbytes Page：7 Pages	500V N-Channel MOSFET 文件：868.91 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM20N50F	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOS	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
HRH20N50ANB	文件：2.65431 Mbytes Page：11 Pages	500V N-Channel Planar MOSFET Features RDSON=0.17Ω @Vgs=10V, Id=10A Ultra Low gate Charge(typical 73.4nC) Low Crss (typical 4.8pF) Fast switching capability 100% avalanche tested Improved dv/dt capability Applications Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) 文件：2.65431 Mbytes 页数：11 Pages	SY 顺烨电子	SY
HRH20N50ANF	文件：2.65431 Mbytes Page：11 Pages	500V N-Channel Planar MOSFET Features RDSON=0.17Ω @Vgs=10V, Id=10A Ultra Low gate Charge(typical 73.4nC) Low Crss (typical 4.8pF) Fast switching capability 100% avalanche tested Improved dv/dt capability Applications Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) 文件：2.65431 Mbytes 页数：11 Pages	SY 顺烨电子	SY
HRH20N50ANV	文件：2.65431 Mbytes Page：11 Pages	500V N-Channel Planar MOSFET Features RDSON=0.17Ω @Vgs=10V, Id=10A Ultra Low gate Charge(typical 73.4nC) Low Crss (typical 4.8pF) Fast switching capability 100% avalanche tested Improved dv/dt capability Applications Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) 文件：2.65431 Mbytes 页数：11 Pages	SY 顺烨电子	SY

技术参数

封装（Package）：
TO-220F
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
500.00V
ID(Max)ID(A)：
20.00A
IDM：
80.00A
VTH(Typ)：
3.00V
VGS：
30.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
0.21mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
FQP20N50/FQN20N50/UTC20N50/STP20N50

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HM20N50F供应商更新时间2025-10-8 10:05:00

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