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HM17N10K	文件：514.58 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：514.58 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM17N10K	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以上)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
BRD17N10	文件：728.52 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package 文件：728.52 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
HFP17N10	文件：1.18443 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：1.18443 Mbytes 页数：7 Pages	Huashan 华汕电子器件	Huashan

技术参数

封装（Package）：
TO-252
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
100.00V
ID(Max)ID(A)：
17.00A
IDM：
65.00A
VTH(Typ)：
1.80V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
56.00mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
FQD17N10/IRLU3410/STP16N10/SSP16N10/UTC19N10/SSP19N10/SPB19N10/SPB16N10

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HM17N10K供应商更新时间2025-12-12 9:04:00

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