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HM10N70	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOS	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
HM10N70F	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOS	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
HM10N70F	文件：867.4 Kbytes Page：10 Pages	silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs 文件：867.4 Kbytes 页数：10 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HRH10N70ANF	文件：2.79897 Mbytes Page：11 Pages	700V N-Channel Planar MOSFET Features RDSON≤ 1.1Ω @ Vgs=10 V, Id= 5A ⚫ UltraLow gate Charge(typical typical34 nC) ⚫ Low Crss (typical typical1.3pF) ⚫ Fast switching capability ⚫ 100 avalanche tested ⚫ Improved dv/ dt capability Applications  Switch Mode Power Supply (  Uninterruptible Power Supply (  Power Facto 文件：2.79897 Mbytes 页数：11 Pages	SY 顺烨电子	SY
HRH10N70ANF	文件：2.79899 Mbytes Page：11 Pages	700V N-Channel Planar MOSFET Description 700 VN-Channel Planar MOSFET 10 N70 ANx is HRM high voltage MOSFET family basedon advanced planar stripe DMOS technology.This advanced MOSFET familyhas optimizedon -state resistance, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength.This device 文件：2.79899 Mbytes 页数：11 Pages	SHUNYE 顺烨电子	SHUNYE
HRH10N70ANP	文件：2.79897 Mbytes Page：11 Pages	700V N-Channel Planar MOSFET Features RDSON≤ 1.1Ω @ Vgs=10 V, Id= 5A ⚫ UltraLow gate Charge(typical typical34 nC) ⚫ Low Crss (typical typical1.3pF) ⚫ Fast switching capability ⚫ 100 avalanche tested ⚫ Improved dv/ dt capability Applications  Switch Mode Power Supply (  Uninterruptible Power Supply (  Power Facto 文件：2.79897 Mbytes 页数：11 Pages	SY 顺烨电子	SY

技术参数

封装（Package）：
TO-220
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
700.00V
ID(Max)ID(A)：
10.00A
IDM：
40.00A
VTH(Typ)：
3.00V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
0.78mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
FQP10N70/FQA10N70/FQB10N70/SVF10N70/WFW10N70/UTC10N70

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HM10N70供应商更新时间2026-3-18 14:02:00

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