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HM103B

QC3.0 Interface Modul

文件:354.81 Kbytes 页数:9 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM103D

Chargers for smartphones, tablets, netbooks, digital cameras and Bluetooth accessories

文件:954.8 Kbytes 页数:11 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM1060E

Depletion-Mode Power MOSFET

文件:369.76 Kbytes 页数:4 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM1084

1A low dropout linear regulator

文件:810.66 Kbytes 页数:9 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM10G002

256/263CH TFT-LCD GATE DRIVER SPECIFICATION PRELIMINARY PRELIMINARY

文件:260.57 Kbytes 页数:17 Pages

Hynix

海力士

HM10N10I

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:703.52 Kbytes 页数:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM10N10K

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:571.43 Kbytes 页数:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM10N10K

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件:1.0522 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

HM10N10KA

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:604.48 Kbytes 页数:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM10N120T

1200V /10A Trench Field Stop IGBT

文件:1.25182 Mbytes 页数:8 Pages

HMSEMI

华之美半导体

技术参数

  • 封装(Package):

    TO-220

  • 沟道(Polarity):

    N沟道

  • VDS(Max)BVDSS(V):

    20.00V

  • ID(Max)ID(A):

    100.00A

  • IDM:

    350.00A

  • VTH(Typ):

    0.65V

  • VGS:

    12.00V

  • RDS(ON)@-10VTyp(mΩ):

    4.50mΩ

  • RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ):

    6.50mΩ

  • RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • 直接替代型号(compatible):

    AOD424/NTD100N02/MTD100N02/FU100N02/SUD100N02/IRFR3704Z/IRFR3711Z/IRLR6225

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
HM
23+
DFN56-8
50000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
NK/南科功率
2025+
DFN5X6-8L
986966
国产
询价
HM
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
HM
2022+
TO-252
35633
原厂代理 终端免费提供样品
询价
HM
24+
NA/
22550
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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HM
20+
TO-252
35633
现货很近!原厂很远!只做原装
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HM
24+
TO-252
60000
询价
VBSEMI
24+
con
35960
查现货到京北通宇商城
询价
INTERSI
24+
DIP
185
进口原装正品优势供应
询价
INTERSIL
24+
DIP
66800
原厂授权一级代理,专注汽车、医疗、工业、新能源!
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更多HM10供应商 更新时间2025-11-5 11:10:00