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HMZ-433A	文件：585.62 Kbytes Page：2 Pages	CERAMICCAPACITORS	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
HSBD433	文件：234.73 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS MediumPowerLinearswitchingApplications	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司	Huashan
HW433	文件：892.97 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
HW433	文件：929.88 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	NTE NTE Electronics	NTE
HWS433	文件：77.36 Kbytes Page：3 Pages	GaAs0.95-2.15GHz2x2SwitchMatrix Description TheHWS433isaGaAsPHEMT2x2switchmatrixoperatingat0.95to2.15GHzinalowcostTSSOP-16plasticlead(Pb)freepackage.Anyofthetwoinputscanbedirectedtoanyofthetwooutputs.TheHWS433issuitableforuseinDirectBroadcastSatellite(DBS)switchingsystemorC	HWHexawave, Inc 汉威光电汉威光电股份有限公司	HW
IRF433	文件：141.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,4.5A,450V/500V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VGSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF433	文件：211.24 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDs(on)athighvoltage •Improvedinductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapactiance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliablitiy •TO-3package(Highvol	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF433	文件：48.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •siliconGateforfastswitchingatelevate •rugged •lowdriverequirements •easeofparalleling APPLICATIONS •highspeedapplicationssuchasSwitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrolsrelayandsolenoiddriver.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF433	文件：122.44 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,4.5A,450V/500V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF433	文件：122.44 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,4.5A,450V/500V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VGSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchi	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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