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HWS433	文件：77.36 Kbytes Page：3 Pages	GaAs 0.95-2.15 GHz 2x2 Switch Matrix Description TheHWS433isaGaAsPHEMT2x2switchmatrixoperatingat0.95to2.15GHzinalowcostTSSOP-16plasticlead(Pb)freepackage.Anyofthetwoinputscanbedirectedtoanyofthetwooutputs.TheHWS433issuitableforuseinDirectBroadcastSatellite(DBS)switchingsystemorC	HWHexawave, Inc 汉威光电汉威光电股份有限公司	HW
HWS433_V3_15	文件：76.8 Kbytes Page：3 Pages	GaAs 0.95-2.15 GHz 2x2 Switch Matrix	HWHexawave, Inc 汉威光电汉威光电股份有限公司	HW
IRF433	文件：141.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,4.5A,450V/500V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VGSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF433	文件：211.24 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDs(on)athighvoltage •Improvedinductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapactiance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliablitiy •TO-3package(Highvol	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF433	文件：48.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •siliconGateforfastswitchingatelevate •rugged •lowdriverequirements •easeofparalleling APPLICATIONS •highspeedapplicationssuchasSwitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrolsrelayandsolenoiddriver.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF433	文件：122.44 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,4.5A,450V/500V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF433	文件：122.44 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,4.5A,450V/500V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VGSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchi	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFS433	文件：265.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS433	文件：343.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=450V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KF433	文件：120.28 Kbytes Page：2 Pages	SPECIFICATIONSFORSAWFILTER(BANDPASSFILTERSFORTHERECEIVINGRFCIRCUITSOFTRANSCEIVER) BandpassfiltersforthereceivingRFcircuitsoftransceiver	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

详细参数

型号：
HWS433
制造商：
HW
制造商全称：
HW
功能描述：
GaAs 0.95-2.15 GHz 2x2 Switch Matrix

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