HJ3DD4C(NPN)低频大功率晶体管

HJ3DD4C(NPN)/ HJ3CD4C(PNP)晶体管主要用于音频功率放大，大负载驱动电路，中大容量，开关电路，自动控制电路等，主要特点有反向漏电小、饱和压降小等。

Hangjing

杭晶电子

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·DC Current Gain : hFE=15~180@IC = 0.75A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS)= 300V(Min) ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use in general purpose power amplifier and switching application

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