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IRFM360	文件：253.7 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFM360	文件：372.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP360	文件：55.31 Kbytes Page：7 Pages	23A,400V,0.200Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingc	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP360	文件：164.15 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.20ohm,Id=23A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFP360	文件：962.94 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP360	文件：50.32 Kbytes Page：2 Pages	MegaMOSFET Features •Fastswitchingtimes •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Highcommutingdv/dtrating Applications •DCchoppers •MotorControls •Switch-modeandresonant-mode •Uninterruptablepowersupplies(UPS) Adva	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP360	文件：67.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES •DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max) •FastSwitching DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP360	文件：640.42 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedN-ChannelPowerMOSFETs TheIRFP360andIRFP362areadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperationThesearen-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingre	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP360	文件：1.032369 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP360	文件：284.4 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrated •Repetitiveavalancherated •Isolatedcentralmountinghole •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
HJ360-SERIES
功能描述：
Analog IC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	HJ3669		24+	TO251	20658		询价
深圳市博浩通科技有限公司	HJ3669	HSMC	23+	SOT252	16000	专业优势供应	询价
深圳市仟禧电子有限公司	HJ3669	HSMC	22+	SOT252	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	HJ3669	HUAJING	TO-252	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	HJ3669	HUAJING	23+	TO-252	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	HJ3669	HSMC	22+	SOT252	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳庞田科技有限公司	HJ3669	HSMC	2023+环保现货	TO-252	18000	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价
深圳市创新迹电子有限公司	HJ3669	HUAJING	23+	TO-252	8400	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	HJ3669	HSMC	2023+	TO-252	50000	原装现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	HJ3669	HUAJING	23+	TO-252	8400	专注配单,只做原装进口现货	询价

更多HJ360-SERIES供应商更新时间2025-5-24 16:30:00

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