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HIRF740	文件：50.84 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power MOSFET (400V, 10A)	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HIRF740F	文件：50.84 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power MOSFET (400V, 10A)	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HM740	文件：316.57 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM740F	文件：316.57 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
I740	文件：1.67134 Mbytes Page：12 Pages	10A400VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司	WXDH
INA740A	文件：1.4142 Mbytes Page：41 Pages	INA740x85V,16-Bit,PrecisionI2COutputDigitalPowerMonitorwithEZShunt™Technology 1Features •Lowlossintegratedshuntresistor –Internalresistance:800μΩ,TA=25°C –Continuouscurrent:±35A,TA=25°C –Peakmeasurementcapability:±39.32A •Widecommon-moderange:–0.1Vto+85V •High-resolution,16-bitdelta-sigmaADC •Currentmonitoringaccuracy:A/BGrad	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA740A	文件：2.37007 Mbytes Page：50 Pages	INA740x85V,16-Bit,PrecisionI2COutputDigitalPowerMonitorwithEZShunt™Technology 1Features •Lowlossintegratedshuntresistor –Internalresistance:800μΩ,TA=25°C –Continuouscurrent:±35A,TA=25°C –Peakmeasurementcapability:±39.32A •Currentmonitoringaccuracy:A/BGrade, maximum –Offsetcurrent:±6.25mA/±62.5mA –Offsetdrift:±30μA/°C(AandB	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA740B	文件：1.4142 Mbytes Page：41 Pages	INA740x85V,16-Bit,PrecisionI2COutputDigitalPowerMonitorwithEZShunt™Technology 1Features •Lowlossintegratedshuntresistor –Internalresistance:800μΩ,TA=25°C –Continuouscurrent:±35A,TA=25°C –Peakmeasurementcapability:±39.32A •Widecommon-moderange:–0.1Vto+85V •High-resolution,16-bitdelta-sigmaADC •Currentmonitoringaccuracy:A/BGrad	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA740B	文件：2.37007 Mbytes Page：50 Pages	INA740x85V,16-Bit,PrecisionI2COutputDigitalPowerMonitorwithEZShunt™Technology 1Features •Lowlossintegratedshuntresistor –Internalresistance:800μΩ,TA=25°C –Continuouscurrent:±35A,TA=25°C –Peakmeasurementcapability:±39.32A •Currentmonitoringaccuracy:A/BGrade, maximum –Offsetcurrent:±6.25mA/±62.5mA –Offsetdrift:±30μA/°C(AandB	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA740BIREMR	文件：2.37007 Mbytes Page：50 Pages	INA740x85V,16-Bit,PrecisionI2COutputDigitalPowerMonitorwithEZShunt™Technology 1Features •Lowlossintegratedshuntresistor –Internalresistance:800μΩ,TA=25°C –Continuouscurrent:±35A,TA=25°C –Peakmeasurementcapability:±39.32A •Currentmonitoringaccuracy:A/BGrade, maximum –Offsetcurrent:±6.25mA/±62.5mA –Offsetdrift:±30μA/°C(AandB	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
HIRF740
制造商：
HSMC
制造商全称：
HSMC
功能描述：
N-Channel Power MOSFET(400V, 10A)

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