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HIP2100IRZ	文件：392.58 Kbytes Page：12 Pages	100V/2APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver TheHIP2100isahighfrequency,100VHalfBridgeN-ChannelpowerMOSFETdriverIC.Thelow-sideandhigh-sidegatedriversareindependentlycontrolledandmatchedto8ns.Thisgivestheusermaximumflexibilityindead-timeselectionanddriverprotocol.Undervoltageprotectiononboththelow-s	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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HIP2100IRZT	文件：392.58 Kbytes Page：12 Pages	DrivesN-ChannelMOSFETHalfBridge TheHIP2100isahighfrequency,100VHalfBridgeN-ChannelpowerMOSFETdriverIC.Thelow-sideandhigh-sidegatedriversareindependentlycontrolledandmatchedto8ns.Thisgivestheusermaximumflexibilityindead-timeselectionanddriverprotocol.Undervoltageprotectiononboththelow-s	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HMC-T2100	文件：847.63 Kbytes Page：6 Pages	SYNTHESIZEDSIGNALGENERATOR,10MHzto20GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HOM2100	文件：131.68 Kbytes Page：2 Pages	MINIATURECIRCUITBREAKER120/240V100A	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
HOM2100C	文件：131.37 Kbytes Page：2 Pages	MINIATURECIRCUITBREAKER120/240V100A	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER

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产品属性

产品编号：
HIP2100IBT
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
9V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
4V，7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
10ns，10ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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