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ISL2100AABZ	文件：559.59 Kbytes Page：11 Pages	100V,2APeak,HighFrequencyHalf-BridgeDrivers	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IT2100F	文件：606.84 Kbytes Page：7 Pages	SMDTemperatureCompensatedCrystalOscillators	TEMEX temex	TEMEX
IT2100H	文件：594.81 Kbytes Page：7 Pages	SMDTemperatureCompensatedCrystalOscillators	TEMEX temex	TEMEX
IT2100L	文件：656.61 Kbytes Page：7 Pages	SMDTemperatureCompensatedCrystalOscillators	TEMEX temex	TEMEX
JT2100FA	文件：975.8 Kbytes Page：45 Pages	MouldedCaseCircuitBreakers16-2500AmperesforIEC60947-2Applications	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
KK2100A	文件：3.41279 Mbytes Page：3 Pages	FASTTURN-OFFTHYRISTORS	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
KOM2100B	文件：238.62 Kbytes Page：4 Pages	6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray6-ChipSiliconPINPhotodiodeArray Features ●Especiallysuitableforapplicationsfrom400nmto1100nm(KOM2100B)andof880nm(KOM2100BF) ●Shortswitchingtime(typ.13ns) ●Cathode=backcontact ●Availableasphotodiodewithreversevoltageorphotovoltaiccell ●SuitableforSMT Applications ●General-purpose,	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

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产品属性

产品编号：
HIP2100IBT
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
9V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
4V，7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
10ns，10ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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