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IS-2100AEH	文件：114.37 Kbytes Page：2 Pages	RadiationHardenedHighFrequencyHalfBridgeDrivers	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IS-2100AEH	文件：258.85 Kbytes Page：7 Pages	RadiationHardenedHighFrequencyHalfBridgeDrivers Features ▪ElectricallyscreenedtoDLASMD#5962-99536 ▪QMLqualifiedperMIL-PRF-38535requirements ▪Radiationenvironment •TIDRadHardAssurance(RHA)testing ◦HDR(50-300rad(Si)/s):300krad(Si) ◦LDR(≤10mrad(Si)/s):50krad(Si)(AEHOnly) •DIRSGprocessprovideslatch-upimmuni	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IS-2100ARH	文件：61.22 Kbytes Page：2 Pages	RadiationHardenedHighFrequencyHalfBridgeDriver	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IS-2100ARH	文件：114.37 Kbytes Page：2 Pages	RadiationHardenedHighFrequencyHalfBridgeDrivers	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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ISD2100	文件：1.01978 Mbytes Page：28 Pages	DigitalChipCorderWithEmbeddedFlashforStand-alonePlaybackofAudio	NuvotonNuvoton Technology Corporation 新唐科技新唐科技股份有限公司	Nuvoton
ISG2100	文件：264.31 Kbytes Page：3 Pages	NPTField-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.1V@IC=50A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISL2100A	文件：258.32 Kbytes Page：11 Pages	100V,2APeak,HighFrequencyHalf-BridgeDrivers TheISL2100A,ISL2101Aare100V,highfrequency,half-bridgeN-channelpowerMOSFETdriverICs.TheyarebasedonthepopularHIP2100,HIP2101half-bridgedrivers,butofferseveralperformanceimprovements.TheISL2100Ahasadditionalinputhysteresisforsuperioroperationinnoisyenvironments	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL2100A	文件：559.59 Kbytes Page：11 Pages	100V,2APeak,HighFrequencyHalf-BridgeDrivers	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL2100A	文件：255.94 Kbytes Page：11 Pages	100V,2APeak,HighFrequencyHalf-BridgeDrivers TheISL2100A,ISL2101Aare100V,highfrequency, half-bridgeN-channelpowerMOSFETdriverICs.Theyare basedonthepopularHIP2100,HIP2101half-bridgedrivers, butofferseveralperformanceimprovements.TheISL2100A hasadditionalinputhysteresisforsuperioroperationinnoisy environm	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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产品属性

产品编号：
HIP2100IBT
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
9V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
4V，7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
10ns，10ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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