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深圳市坤融电子科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-247

3520

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市恒创达实业有限公司

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FAIRCHILTO-247

6200

17+

100%原装正品现货

博速半导体(深圳)有限公司

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ONTO-3P

5685

ROHS环保

原装正品,支持实单

深圳市智创诚芯电子科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童货真价实,假一罚十

25000

TO-3P

深圳市华博特电子有限公司

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ONSEMITO247

2000

23/22+

全线可订货.含税开票

千层芯半导体(深圳)有限公司

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ONTO-247

9000

22+

只做原装 假一赔十

深圳市讯顺达科技有限公司

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ONTO-247

4500

21+

全新原装公司现货

深圳市欧立现代科技有限公司

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FAIRCHILTO-247

6500

22+

全新原装现货,欢迎询购!!

深圳市河锋鑫科技有限公司

3年 留言
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INTERSILTO-247

31518

17+

原装正品 可含税交易

深圳市中利达电子科技有限公司

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FSC进口原TO-247

384

22+

长源创新-只做原装---假一赔十

深圳市科恒伟业电子有限公司

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FAIRCHILD/仙童NA

6850

21+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市莱克讯科技有限公司

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FAIRCHTO247

9

0345+

公司原装现货,可来看货!

深圳市宏世佳电子科技有限公司

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FAIRCHILSOP

3795

2023+

全新原厂原装产品、公司现货销售

深圳市拓亿芯电子有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO247

15000

23+

全新原装现货,假一赔十.

深圳市得捷芯城科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童NA/

5923

23+

原装现货,当天可交货,原型号开票

深圳市明嘉莱科技有限公司

3年 留言
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FAIRCHILD/仙童TO3P

990000

24+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市汇莱威科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO3P

265209

假一罚十原包原标签常备现货!

深圳市惊羽科技有限公司

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ON-安森美TO-263-3

78800

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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市芯祺盛科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO3P

2700

1833+

原装现货!天天特价!随时可以货!

深圳市创新迹电子有限公司

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生产厂家品牌为Fairchild的HGTG20N60B3多少钱,想知道HGTG20N60B3价格是多少?参考价:¥14.6723。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,HGTG20N60B3批发价格及采购报价,HGTG20N60B3销售排行榜及行情走势,HGTG20N60B3报价。

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HGTG20N60中文资料Alldatasheet PDF

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HGTG20N60A4功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

HGTG20N60A4_NL制造商:Fairchild Semiconductor Corporation

HGTG20N60A4D功能描述:IGBT 晶体管 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

HGTG20N60A4D_09制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

HGTG20N60B3功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

HGTG20N60B3_NL制造商:Fairchild Semiconductor Corporation

HGTG20N60B3_Q功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

HGTG20N60B3D功能描述:IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

HGTG20N60B3D_Q功能描述:IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

HGTG20N60C3制造商:Harris Corporation