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HGT1N40N60A4	文件：152.32 Kbytes Page：10 Pages	600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode TheHGT1N40N60A4DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofaMOSFETandabipolartransistor.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltage dropvariesonly	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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HGT1N40N60A4

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600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

TheHGT1N40N60A4DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofaMOSFETandabipolartransistor.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltage dropvariesonly

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

HGT1N40N60A4D

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：托盘封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC 类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 600V 110A 298W SOT227B

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
HGT1N40N60A4
功能描述：
IGBT 晶体管 45A 600V N-Ch
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多HGT1N40N60A4供应商更新时间2024-5-15 10:30:00

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