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HFP7N60

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy

文件:658.21 Kbytes 页数:7 Pages

Huashan

华汕电子器件

HFP7N60

600V N-Channel MOSFET

文件:828.44 Kbytes 页数:8 Pages

SEMIHOW

HFP7N60

场效应管

Huashan

华汕电子器件

HFS7N60

600V N-Channel MOSFET

文件:692.77 Kbytes 页数:7 Pages

SEMIHOW

HM7N60

600V N-Channel MOSFET

文件:330.57 Kbytes 页数:8 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM7N60I

600V N-Channel MOSFET

文件:672.04 Kbytes 页数:8 Pages

HMSEMI

华之美半导体

技术参数

  • ID(A):

    7.00

  • PD(W):

    147.00

  • RDS(ON)@VGS =10V(Ω):

    1.20

  • 封装形式PACKAGE:

    TO-220

  • 脚位 Pin:

    GDS

  • 替代型号EQUIVALENTTYPE:

    SSP7N60B

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SemiHow
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TO-220
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更多HFP7N60供应商 更新时间2025-12-15 16:25:00