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HFP3N80	文件：870.6 Kbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：870.6 Kbytes 页数：8 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW
HFP3N80	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管	Huashan 华汕电子器件	Huashan
HFS3N80	文件：1.2775 Mbytes Page：8 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：1.2775 Mbytes 页数：8 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW
HFU3N80	文件：1.20655 Mbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：1.20655 Mbytes 页数：9 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW
HM3N80	文件：956.28 Kbytes Page：10 Pages	SiliconN - ChannelPowerMOSFET 文件：956.28 Kbytes 页数：10 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

技术参数

ID(A)：
3.00
PD(W)：
107.00
RDS(ON)@VGS =10V(Ω)：
4.80
封装形式PACKAGE：
TO-220
脚位 Pin：
GDS
替代型号EQUIVALENTTYPE：
FQP3N80C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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