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HER103G	文件：611.73 Kbytes Page：2 Pages	1.0 AMP. Glass Passivated High Efficient Rectifiers 文件：611.73 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
HER103G	文件：362.04 Kbytes Page：4 Pages	Glass Passivated High Efficient Rectifiers 文件：362.04 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
HER103G	文件：437.68 Kbytes Page：3 Pages	1.0 Amp Glass Passivated High Efficient Rectifier 50 to 1000 Volts 文件：437.68 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
HER103G	文件：29.54 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 1.0 Ampere 文件：29.54 Kbytes 页数：2 Pages	RECTRON 丽正	RECTRON
HER103G	文件：271.33 Kbytes Page：2 Pages	1.0 AMP. Glass Passivated High Efficient Rectifiers 文件：271.33 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
HER103GPT	文件：91.99 Kbytes Page：2 Pages	HIGH EFFICIENCY RECTIFIER FEATURES * Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 * Low power loss, high efficiency * Low leakage * High current capability * High speed switching * High current surge * High reliability * Glass passivated junction * High temperature soldering guaran 文件：91.99 Kbytes 页数：2 Pages	CHENMKO 力勤	CHENMKO
HER103G-T3	文件：57.81 Kbytes Page：4 Pages	1.0A GLASS PASSIVATED ULTRAFAST DIODE Features Glass Passivated Die Construction Low Forward Voltage Drop High Current Capability High Reliability High Surge Current Capability 文件：57.81 Kbytes 页数：4 Pages	WTE Won-Top Electronics	WTE
HER103G-TB	文件：57.81 Kbytes Page：4 Pages	1.0A GLASS PASSIVATED ULTRAFAST DIODE Features Glass Passivated Die Construction Low Forward Voltage Drop High Current Capability High Reliability High Surge Current Capability 文件：57.81 Kbytes 页数：4 Pages	WTE Won-Top Electronics	WTE
HER103G_15	文件：202.3 Kbytes Page：7 Pages	Glass Passivated Junction 文件：202.3 Kbytes 页数：7 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
HER103GA-G	文件：88.69 Kbytes Page：4 Pages	High Efficiency Rectifiers 文件：88.69 Kbytes 页数：4 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP

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产品属性

产品编号：
HER103G
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
15pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-204AL（DO-41）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 1A 200V DO-41

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