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IRFP240	文件：169.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage-:VDSS=200V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.18Ω(Max) •FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP240	文件：322.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP240	文件：3.99809 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFP240	文件：1.61145 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP240	文件：893.6 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Isolatedcentralmountinghole •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinf	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP240	文件：1.63401 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP240A	文件：67.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.18Ω(Max) ·FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP240A	文件：265.93 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.18Ω ID=20A FEATURES AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V LowerRDS(ON):0.144Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFP240B	文件：697.99 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFP240FI	文件：69.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.18Ω(Max) ·FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP240PBF	文件：3.99809 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFP240PBF	文件：886.48 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET .VDSS=200V,RDS(on)=0.18Ohm,ID=20A Lead-Free	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP240PBF	文件：1.60332 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclu	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP240PBF	文件：1.63401 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP240R	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.18Ω(Max) ·FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS240	文件：265.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS240A	文件：64.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •AvalancheRuggedTechnology •RuggedGateOxideTechnology •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS240A	文件：261.85 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET(200V,0.18ohm,12.8A) FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ■LowerRDS(ON):0.144Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS240B	文件：684.36 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFY240	文件：14.29 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

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详细参数

型号：
HDA240A
制造商：
HANTRONIX
制造商全称：
HANTRONIX
功能描述：
Dimensional Drawing

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市深创辉科技有限公司	HDA26PTD	MCMURDO			50	原装正品长期供货，如假包赔包换徐小姐13714450367	询价
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