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HCS80R670S

N-Channel MOSFET

FEATURES ·Drain Current -ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.67Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Switch Mode Power Supply (SMPS) ·Uninterruptible Power Supply (UPS) ·Power Factor Correction (PFC)

文件:302.06 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

HCS80R670S

SJ MOSFET

SemiHow

技术参数

  • Package:

    TO-220FS

  • VDS [V]:

    800

  • ID [A]@25℃:

    8

  • RDS(ON) [Ω] (max.)@VGS=10V:

    0.67

  • VGS(th) [V](min.):

    2

  • VGS(th) [V](max.):

    4

  • PD [W]@25℃:

    29

  • Qg [nC]:

    17.4

  • EAS [mJ]:

    90

  • Option:

    ESD Zener

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更多HCS80R670S供应商 更新时间2026-1-28 15:04:00