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HCS70R1K4P	文件：171.68 Kbytes Page：7 Pages	Extremely low switching loss	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HCU70R1K4P	文件：320.26 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
IIPD70R1K4CE	文件：336.59 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD70R1K4CE	文件：1.06249 Mbytes Page：15 Pages	700VCoolMOS짧CEPowerTransistor Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse/drive •Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound •Qualifiedforstandardgradeapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD70R1K4CE	文件：336.59 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPS70R1K4CE	文件：1.06249 Mbytes Page：15 Pages	700VCoolMOS짧CEPowerTransistor Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse/drive •Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound •Qualifiedforstandardgradeapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPS70R1K4CE	文件：247.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPSA70R1K4CE	文件：1.09267 Mbytes Page：14 Pages	700VCoolMOS짧CEPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
MMD70R1K4P	文件：1.27256 Mbytes Page：10 Pages	700V1.4(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMD70R1K4PRH	文件：353.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=700V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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深圳市佰诺德电子有限公司	HCS70R360S	SEMIHOW			700		询价
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更多HCS70R1K4P供应商更新时间2025-5-1 5:40:00

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