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IRF3315	文件：338.67 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Combinewiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤70mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperati	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3315	文件：124.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)=0.07ohm,Id=27A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315L	文件：197.25 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)=0.082ohm,Id=21A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315L	文件：300.35 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-262package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3315LPBF	文件：391.31 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315LPBF	文件：386.58 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315PBF	文件：237.5 Kbytes Page：8 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315PBF	文件：143.01 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315S	文件：189.07 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3315S	文件：197.25 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)=0.082ohm,Id=21A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
HB3315
制造商：
AB
功能描述：
RESC3R30XA2R0XBXCC SUB QUB-4172

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	HB3330MFZRE	TE Connectivity	2022+	原厂原包装	6800	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
北京天阳诚业科贸有限公司	HB3330MFZRE	TE	24+	con	35960	查现货到京北通宇商城	询价
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更多HB3315供应商更新时间2025-5-23 15:01:00

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