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HAT3029R

Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching

文件:147.84 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT3029R

Power MOSFETs and IGBT for PDP

文件:136.18 Kbytes 页数:2 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT3029R

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.44773 Mbytes 页数:14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

HAT3029R

N-Channel and P-Channel MOSFET use advanced trench technology

文件:3.78135 Mbytes 页数:8 Pages

DOINGTER

杜因特

HAT3029R-EL-E

Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching

文件:147.84 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT3029R_15

Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching

文件:163.73 Kbytes 页数:12 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT3029R_16

Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching

文件:257.69 Kbytes 页数:11 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT3029R

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    SOP8

  • Nch/Pch:

    Nch/Pch

  • 通道数:

    Dual

  • VDSS (V) 最大值:

    30

  • ID (A):

    6

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    58

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    34

  • Ciss (pF) 典型值:

    410

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    2.5

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    1.3

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Surface Mount

  • 订购条件:

    Large order only

  • QG (nC) 典型值:

    3.1

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Renesas(瑞萨)
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