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HAT3021R

Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching

文件:146.27 Kbytes 页数:11 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT3021R

Power MOSFETs and IGBT for PDP

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HAT3021R-EL-E

Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching

文件:146.27 Kbytes 页数:11 Pages

RENESAS

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HAT3021R_15

Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching

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HAT3021R_16

Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching

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HAT3021R

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    SOP8

  • Nch/Pch:

    Nch/Pch

  • 通道数:

    Dual

  • VDSS (V) 最大值:

    80

  • ID (A):

    3.4

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    145

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    115

  • Ciss (pF) 典型值:

    400

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    2.5

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    1.5

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Surface Mount

  • 订购条件:

    Large order only

  • QG (nC) 典型值:

    7.3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
20+
SOP-8
120000
原装正品 可含税交易
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进口原装现货,假一赔十
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