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HAT3019R-EL-E	文件：535.81 Kbytes Page：11 Pages	Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching 文件：535.81 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HM3019	文件：22.44 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description This device is designed for use as general purpose amplifier and switching requiring collector currents 1A 文件：22.44 Kbytes 页数：2 Pages	HSMC 华昕	HSMC
ISBL3019N	文件：288.73 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO=300V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat)= 3.0V(Max) @IC= 8A APPLICATIONS ·Designed for power amplifier,high speed switching and regulated power supply applications. 文件：288.73 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
LM3019	文件：315.73 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：315.73 Kbytes 页数：3 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH

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更多HAT3019R-EL-E供应商更新时间2026-1-27 14:14:00