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HAT2280R

Power MOSFETs and IGBT for PDP

文件:136.18 Kbytes 页数:2 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT2280R

Silicon N Channel Power MOSFET

文件:98.42 Kbytes 页数:6 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT2280R

Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.50406 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

HAT2280R-EL-E

Silicon N Channel Power MOSFET

文件:98.42 Kbytes 页数:6 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT2280R

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    SOP8

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Dual

  • VDSS (V) 最大值:

    30

  • ID (A):

    6.6

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    57

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    34

  • Ciss (pF) 典型值:

    410

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    2.5

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    1.5

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Surface Mount

  • 订购条件:

    Large order only

  • QG (nC) 典型值:

    3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
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SOP-8
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更多HAT2280R供应商 更新时间2025-10-6 14:14:00