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HAT2166H	文件：93.1 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 2.9 mΩ typ. (at VGS = 10 V) 文件：93.1 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2166H	文件：89.48 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 文件：89.48 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2166H_05	文件：89.48 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 文件：89.48 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2166H_15	文件：108.92 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 文件：108.92 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2166H-EL-E	文件：89.48 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 文件：89.48 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2166H	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

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更多HAT2166供应商更新时间2026-4-17 16:08:00