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HAT2031T	文件：57.56 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Capable of 2.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting 文件：57.56 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAT2031T	文件：171.33 Kbytes Page：12 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Capable of 2.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting 文件：171.33 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2031T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
HAT2031T(D)	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power switching MOSFET	HITACHI 日立	HITACHI

技术参数

封装类型：
TSSOP8
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
20
ID (A)：
3.5
Ciss (pF) 典型值：
300
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HAT2031T供应商更新时间2025-10-5 10:51:00

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