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HAT2029R	文件：56.67 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Capable of 2.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting 文件：56.67 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAT2029R	文件：97.41 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Capable of 2.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting 文件：97.41 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2029R	文件：1.16076 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.16076 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
HAT2029R-EL-E	文件：97.41 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Capable of 2.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting 文件：97.41 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2029R_15	文件：116.08 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching 文件：116.08 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2029RJ	文件：1.16066 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.16066 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
HAT2029R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
HAT2029R(D)	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power switching MOSFET	HITACHI 日立	HITACHI

技术参数

封装类型：
SOP8
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Dual
VDSS (V) 最大值：
28
ID (A)：
7.5
RDS (ON)(mΩ) 最大值@2.5V或1.8V：
43
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
33
Ciss (pF) 典型值：
780
Vgs (off) (V) 最大值：
1.4
VGSS (V)：
12
Pch (W)：
2
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
订购条件：
Large order only

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更多HAT2029R供应商更新时间2025-10-13 17:23:00

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