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HAT1021	文件：51.59 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Capable of 2.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting 文件：51.59 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAT1021	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
HAT1021R	文件：51.59 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Capable of 2.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting 文件：51.59 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAT1021R	文件：90 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Capable of 2.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting 文件：90 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT1021R_15	文件：109.55 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching 文件：109.55 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT1021R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features\n• Low on-resistance\n• Capable of 2.5 V gate drive\n• Low drive current\n• High density mounting	HITACHI 日立	HITACHI
HAT1021R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
SOP8
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-20
ID (A)：
-5.5
RDS (ON)(mΩ) 最大值@2.5V或1.8V：
85
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
60
Ciss (pF) 典型值：
1200
Vgs (off) (V) 最大值：
-1.5
VGSS (V)：
10
Pch (W)：
2.5
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
订购条件：
Large order only

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更多HAT1021供应商更新时间2025-12-24 15:48:00

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