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HAF2001	文件：54.85 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching Features This FET has the over temperature shut–down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built–in over temperature shut–down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut–down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over pow 文件：54.85 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
HAF2001	文件：92.92 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOSFET Series Power Switching Description This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over 文件：92.92 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAF2001	文件：300 bytes Page：1 Pages	Intelligent Power Devices	Renesas 瑞萨	Renesas
HAF2001-90	文件：92.92 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOSFET Series Power Switching Description This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over 文件：92.92 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

通道数：
Single
VDSS (V)：
60
ID (A)：
20
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V至4.5V：
65
RDS (ON)(Ω) 典型值@4V至4.5V：
50
RDS (ON)(mΩ) 最大值@8V至10V：
43
RDS (ON)(Ω) 典型值@8V至10V：
30
Pch (W)：
50
Tsd (°C) 典型值：
175
封装类型：
TO220AB
生产状态：
Product Inquiry

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更多HAF2001供应商更新时间2026-4-17 14:02:00

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