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HAF1008L	文件：114.96 Kbytes Page：11 Pages	Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching This FET has the over temperature shut–down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built–in over temperature shut–down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut–down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumpt 文件：114.96 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAF1008L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Intelligent Power Devices	Renesas 瑞萨	Renesas
HAF1008S	文件：114.96 Kbytes Page：11 Pages	Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching This FET has the over temperature shut–down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built–in over temperature shut–down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut–down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumpt 文件：114.96 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HBL1008	文件：151.36 Kbytes Page：3 Pages	1-Channel ESD Protector 文件：151.36 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HBL1008	文件：1.11588 Mbytes Page：3 Pages	Bridge Recifiters Features ●Glass passivated junction ●Ideal for printed circuit board application ●High surge current capability ●Meets MSL level1,per J-STD-020, LF maximum peak of 260℃ 文件：1.11588 Mbytes 页数：3 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG

技术参数

Nch/Pch：
Pch
Number of channels：
Single
VDSS (V)：
-60
ID (A)：
-20
RDS (ON) (mohm) max. @4V to 4.5V：
80
RDS (ON) (ohm) typ. @4V to 4.5V：
60
RDS (ON) (mohm) max. @8V to 10V：
54
RDS (ON) (ohm) typ. @8V to 10V：
42
Pch (W)：
50
Tsd (°C) typ.：
175
Package Type：
LDPAK(L)
Production Status：
Mass Production

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更多HAF1008L供应商更新时间2026-3-26 10:03:00

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