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SP8510	文件：167.57 Kbytes Page：12 Pages	12-BitSamplingA/DConverters DESCRIPTION… TheSP85XXSeriesarecomplete12-bitsamplingA/Dconvertersusingstate–of–the–artCMOSstructures.Theycontainacomplete12–bitsuccessiveapproximationA/Dconverterwithinternalsample/hold,reference,clock,digitalinterfaceformicroprocessorcontrol,andthree–stateoutpu	SipexSipex Corporation 西伯斯西伯斯公司	Sipex
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TDA8510	文件：82.88 Kbytes Page：16 Pages	26WBTLand2x13WSEpoweramplifiers	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TDA8510J	文件：82.88 Kbytes Page：16 Pages	26WBTLand2x13WSEpoweramplifiers	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TPCP8510	文件：218.37 Kbytes Page：5 Pages	TransistorSiliconNPNEpitaxialType High-Speed,High-VoltageSwitchingApplications DC-DCConverterApplications •HighDCcurrentgain:hFE=120to300(IC=0.1A) •Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=0.14V(max) •High-speedswitching:tf=0.2μs(typ)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8510	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TS8510VB	文件：87.85 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TS8510VB	文件：88.89 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8510VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”.  GENERALINFORMATION ThedatasheetisbasedonVishayoptoelectronicssampletestingundercertainpredeterminedanda	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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