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H8050Q	文件：464.63 Kbytes Page：5 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON DESCRIPTION The H8 0 50 P H8 0 50Q are available in S OT 23 p ackage. FEATURES  High current capacity in compact package. IC =1.5A.  Epitaxial planar type.  NPN complement: H8050  Available in S OT 23 p ackage 文件：464.63 Kbytes 页数：5 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
H8050Q	文件：464.63 Kbytes Page：5 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON DESCRIPTION The H8 0 50 P H8 0 50Q are available in S OT 23 p ackage. FEATURES  High current capacity in compact package. IC =1.5A.  Epitaxial planar type.  NPN complement: H8050  Available in S OT 23 p ackage 文件：464.63 Kbytes 页数：5 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
H8050Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR	AiT-Semi 创瑞科技	AiT-Semi
H8050S	文件：136 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR ■ APPLICATIONS Audio Frequency Amplifier. 文件：136 Kbytes 页数：2 Pages	HUASHAN 华汕电子器件	HUASHAN
HA8050	文件：36.78 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HA8550S is designed for general purpose amplifier applications. Features • High DC Current Gain (hFE=100~500 at IC=150mA) • Complementary to HA8550S 文件：36.78 Kbytes 页数：4 Pages	HSMC 华昕	HSMC
HA8050S	文件：36.78 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HA8550S is designed for general purpose amplifier applications. Features • High DC Current Gain (hFE=100~500 at IC=150mA) • Complementary to HA8550S 文件：36.78 Kbytes 页数：4 Pages	HSMC 华昕	HSMC

技术参数

VCEO(V)：
50
hFE/ Min/Max：
160/320
hFE/ IC(mA)/VCE(Volts)：
100/1
VCE(sat) / Max (Volts)：
0.50
VCE(sat) /IC/IB (mA)：
800/80
Polarity：
NPN
Package：
SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市益百分电子有限公司	H8050Q	LRC	2011	SOT-23	100000	全新原装进口自己库存优势	询价
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深圳市纳立科技有限公司	H8050QLT1H		三年内		1983	只做原装正品	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	H8050S-D	CJ/长电	23+	TO92	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	H8051	SUPERTEX	24+	SOP8	5645	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
深圳市凌旭科技有限公司	H8051	SUPERTEX	2016+	SOP8	2294	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳市一线半导体有限公司	H8051	HV	24+	SOP8	6		询价

更多H8050Q供应商更新时间2026-4-22 9:31:00

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