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H7P1002DS

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

H7P1002DSTL-E

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

H7P1002DS

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

H7P1002DL

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

H7P1002DL-E

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    DPAK(S)/TO-252

  • Nch/Pch:

    Pch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    -100

  • ID (A):

    -15

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    150

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    105

  • Ciss (pF) 典型值:

    2600

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    -2.5

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    30

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Surface Mount

  • 订购条件:

    Large order only

  • QG (nC) 典型值:

    45

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